■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）
———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm
DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；◆ DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。
主要技術(shù)指標(biāo)
型號(hào)/參數(shù) |
DInAs3800 |
DInAs3800-TE |
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光敏面直徑(mm) |
2 |
2 |
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波長(zhǎng)范圍(μm) |
1-3.8 |
1-3.8 |
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峰值響應(yīng)度(A/W) |
0.8 |
1.5 |
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D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 |
2.5×109 |
9.1×1012 |
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NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/2 |
71 |
4.4 |
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溫控器型號(hào) |
- |
ZTC-2 |
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探測(cè)器溫度(℃) |
室溫 |
-40 |
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溫度穩(wěn)定度(℃) |
- |
±0.5 |
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信號(hào)輸出模式 |
電流 |
電流 |
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輸出信號(hào)極性 |
正（P） |
正（P） |
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制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC） |
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推薦使用前置放大器型號(hào)：ZAMP |
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砷化銦探測(cè)器使用建議：
● DInAs3800和DInAs3800-TE均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInAs3800-TE砷化銦探測(cè)器，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制。
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