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光譜測(cè)量用探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)： UV-Visible-IR 品 牌： zolix 價(jià)格電議,您可以向供應(yīng)商詢價(jià)得到該產(chǎn)品價(jià)格 所 在 地： 北京通州區(qū) 更新日期： 2025-06-04 詳細(xì)信息品牌：zolix 加工定制：是 型號(hào)：UV-Visible-IR 光源：參考技術(shù)參數(shù) 波長(zhǎng)范圍：參考說明 nm 焦距：參考技術(shù)參數(shù) mm 外形尺寸：參考技術(shù)參數(shù) mm 重量：參考技術(shù)參數(shù) g 適用范圍：參考技術(shù)參數(shù) 光電探測(cè)器綜合介紹單通道光電探測(cè)器,探測(cè)范圍覆蓋了紫外-可見光-紅外（UV-Visible-IR）的寬波段范圍。
常溫型線陣CCD、背感光科研級(jí)面陣CCD以及InGaAs線性陣列探測(cè)器。詳 細(xì)光電倍增管探測(cè)器高靈敏型藍(lán)敏、紅敏光電倍增管，使用范圍：185nm~900nm；
詳 細(xì)硅光電探測(cè)器DSi系列高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器，使用范圍：200~1100nm；
詳 細(xì)銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列常溫及TE制冷型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8~2.4μm；
詳 細(xì)硫化鉛探測(cè)器常溫近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8~3.2μm；
詳 細(xì)砷化銦探測(cè)器--InAs系列———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm
詳 細(xì)銻化銦探測(cè)器--InSb系列液氮制冷型紅外探測(cè)器，使用范圍：1~5.5μm；
詳 細(xì)（HgCdTe）碲鎘汞探測(cè)器制冷型（液氮制冷）紅外探測(cè)器，使用范圍：1~22μm。
詳 細(xì)熱釋電探測(cè)器（Pyroelectric）———常溫型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.5-22um
詳 細(xì)前置放大器卓立漢光提供多種低噪聲、高增益的跨導(dǎo)放大器配合單通道探測(cè)器使用。
詳 細(xì)常溫型線陣CCD 探測(cè)器(2048/3000像素)美國(guó)Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測(cè)器，該產(chǎn)品采用該公司的專利技術(shù)"暗噪聲溫度補(bǔ)償修正（TCDCTM）"，可在15～30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲，得到高信噪比的信號(hào)；
詳 細(xì)常溫型線陣CCD 探測(cè)器(3648像素)美國(guó)Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測(cè)器，該產(chǎn)品采用該公司的專利技術(shù)"暗噪聲溫度補(bǔ)償修正（TCDCTM）"，可在15～30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲，得到高信噪比的信號(hào)；
詳 細(xì)背感光制冷型CCD探測(cè)器◆ 光譜響應(yīng)范圍：300-1000nm
◆ 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封裝技術(shù)
◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，選用科研級(jí)背感光CCD芯片詳 細(xì)制冷型InGaAs線性陣列探測(cè)器InGaAs有效像元數(shù)256和512可選;像元尺寸：50µm×500µm;像元間距：50µm;芯片采用TE制冷方式
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