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    光譜測(cè)量用探測(cè)器

    產(chǎn)品型號(hào): UV-Visible-IR
    品  牌: zolix
      價(jià)格電議,您可以向供應(yīng)商詢價(jià)得到該產(chǎn)品價(jià)格
    所 在 地: 北京通州區(qū)
    更新日期: 2025-06-04
    詳細(xì)信息
     品牌:zolix  加工定制:是  型號(hào):UV-Visible-IR  
     光源:參考技術(shù)參數(shù)  波長(zhǎng)范圍:參考說明 nm 焦距:參考技術(shù)參數(shù) mm 
     外形尺寸:參考技術(shù)參數(shù) mm 重量:參考技術(shù)參數(shù) g 適用范圍:參考技術(shù)參數(shù)  
    光電探測(cè)器綜合介紹
     

    單通道光電探測(cè)器,探測(cè)范圍覆蓋了紫外-可見光-紅外(UV-Visible-IR)的寬波段范圍。
    常溫型線陣CCD、背感光科研級(jí)面陣CCD以及InGaAs線性陣列探測(cè)器。

    詳 細(xì)
     
     
     
    光電倍增管探測(cè)器
     

    高靈敏型藍(lán)敏、紅敏光電倍增管,使用范圍:185nm~900nm;

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    硅光電探測(cè)器DSi系列
     

    高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器,使用范圍:200~1100nm;

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    銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列
     

    常溫及TE制冷型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8~2.4μm;

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    硫化鉛探測(cè)器
     

    常溫近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8~3.2μm;

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    砷化銦探測(cè)器--InAs系列
     

    ———近紅外探測(cè)器  波長(zhǎng)范圍:1-3.8μm

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    銻化銦探測(cè)器--InSb系列
     

    液氮制冷型紅外探測(cè)器,使用范圍:1~5.5μm;

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    (HgCdTe)碲鎘汞探測(cè)器
     

    制冷型(液氮制冷)紅外探測(cè)器,使用范圍:1~22μm。

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    熱釋電探測(cè)器(Pyroelectric)
     

    ———常溫型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:0.5-22um

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    前置放大器
     

    卓立漢光提供多種低噪聲、高增益的跨導(dǎo)放大器配合單通道探測(cè)器使用。

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    常溫型線陣CCD 探測(cè)器(2048/3000像素)
     

    美國(guó)Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測(cè)器,該產(chǎn)品采用該公司的專利技術(shù)"暗噪聲溫度補(bǔ)償修正(TCDCTM)",可在15~30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲,得到高信噪比的信號(hào);

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    常溫型線陣CCD 探測(cè)器(3648像素)
     

    美國(guó)Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測(cè)器,該產(chǎn)品采用該公司的專利技術(shù)"暗噪聲溫度補(bǔ)償修正(TCDCTM)",可在15~30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲,得到高信噪比的信號(hào);

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    背感光制冷型CCD探測(cè)器
     

    ◆ 光譜響應(yīng)范圍:300-1000nm
    ◆ 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封裝技術(shù)
    ◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型,選用科研級(jí)背感光CCD芯片

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    制冷型InGaAs線性陣列探測(cè)器
     

     InGaAs有效像元數(shù)256和512可選;像元尺寸:50µm×500µm;像元間距:50µm;芯片采用TE制冷方式

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