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    光致發(fā)光光譜成像測量系統(tǒng)

    產(chǎn)品型號: PMEye-3000
    品  牌: zolix
      價格電議,您可以向供應(yīng)商詢價得到該產(chǎn)品價格
    所 在 地: 北京通州區(qū)
    更新日期: 2025-06-04
    詳細(xì)信息
    光致發(fā)光光譜成像測量系統(tǒng) PMEye-3000
    PMEye-3000光致發(fā)光光譜成像(PL-Mapping)測量系統(tǒng)是卓立漢光*新研制的,用于LED外延片、半導(dǎo)體晶片、太陽能電池材料等,在生產(chǎn)線上的質(zhì)量控制和實(shí)驗(yàn)室中的產(chǎn)品研發(fā)檢測。該系統(tǒng)對樣品的PL譜進(jìn)行Mapping二維掃描成像,掃描結(jié)果以3D方式進(jìn)行顯示,使檢測結(jié)果更易于分析和比較。該系統(tǒng)的軟件窗口界面友好,操作簡單,只需簡單培訓(xùn)就能使用。

    測試原理:
    PL(光致發(fā)光)是一種輻射復(fù)合效應(yīng)。在一定波長光源的激發(fā)下,電子吸收激發(fā)光子的能量,向高能級躍遷而處于激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的狀態(tài),會以輻射復(fù)合的形式發(fā)射光子向低能級躍遷,這種被發(fā)射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導(dǎo)體材料內(nèi)部,一定的電子能級躍遷的機(jī)制,也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一種用于提供半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)特性信息的光譜技術(shù),可以研究帶隙、發(fā)光波長、結(jié)晶度和晶體結(jié)構(gòu)以及缺陷信息等等。
    應(yīng)用領(lǐng)域舉例:
    LED外延片,太陽能電池材料,半導(dǎo)體晶片,半導(dǎo)體薄膜材料等檢測與研究。



    主要特點(diǎn):
    ◆ PLMapping測量
    ◆ 多種激光器可選
    ◆ Mapping掃描速度:180點(diǎn)/秒
    ◆ 空間分辨率:50um
    ◆ 光譜分辨率:0.1nm@1200g/mm
    ◆ Mapping結(jié)果以3D方式顯示
    ◆ *大8吋的樣品測量
    ◆ 樣品精確定位
    ◆ 樣品真空吸附
    ◆ 可做低溫測量
    ◆ 膜厚測量
     
     

    一體化設(shè)計(jì),操作符合人體工學(xué)
        PMEye3000 PL Mapping測量系統(tǒng)采用立式一體化設(shè)計(jì),關(guān)鍵尺寸根據(jù)人體工學(xué)理論設(shè)計(jì),不管是樣品的操作高度和電腦使用高度,都特別適合于人員操作。主機(jī)與操作平臺高度集成,方便于在實(shí)驗(yàn)室和檢測車間里擺放。儀器側(cè)面設(shè)計(jì)有可收放平臺,可擺放液晶顯示器和鼠標(biāo)鍵盤。儀器底部裝有滾輪,方便于儀器在不同場地之間的搬動。
    模塊化設(shè)計(jì)
        PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)全面采用模塊化設(shè)計(jì)思想,可根據(jù)用戶的樣品特點(diǎn)來選擇規(guī)格配置,讓用戶有更多的選擇余地。激發(fā)光源、樣品臺、光譜儀、探測器、數(shù)據(jù)采集設(shè)備都實(shí)現(xiàn)了模塊化設(shè)計(jì)。
    操作簡便、全電腦控制
        PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng),采用整機(jī)設(shè)計(jì),用戶只需要根據(jù)需要放置檢測樣品,無需進(jìn)行復(fù)雜的光路調(diào)整,操作簡便;所有控制操作均通過計(jì)算機(jī)來控制實(shí)現(xiàn)。
        全新的樣品臺設(shè)計(jì),采用真空吸附方式對樣品進(jìn)行固定,避免了用傳統(tǒng)方式固定樣品而造成的損壞;可對常規(guī)尺寸的LED外延片樣品進(jìn)行精確定位,提高測量重復(fù)精度。
    兩種測量方式,用途更廣泛
        系統(tǒng)采用直流和交流兩種測量模式,直流模式用于常規(guī)檢測,交流模式用于微弱熒光檢測。
    監(jiān)控激發(fā)光源,校正測量結(jié)果
        一般的PL測量系統(tǒng)只是測量熒光的波長和強(qiáng)度,而沒有對激發(fā)光源進(jìn)行監(jiān)控,而激發(fā)光源的不穩(wěn)定性將會對PL測量結(jié)果造成影響。PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)增加對激光強(qiáng)度的監(jiān)控,并根據(jù)監(jiān)控結(jié)果來對PL測量進(jìn)行校正。這樣就可以消除激發(fā)光源的不穩(wěn)定帶來的測量誤差。
    激光器選配靈活
        PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)有多種高穩(wěn)定性的激光器可選,系統(tǒng)*多可內(nèi)置2個激光器和一個外接激光器,標(biāo)配為1個405nm波長高穩(wěn)定激光器。用戶可以根據(jù)測量對象選配不同的激光器,使PL檢測更加精準(zhǔn)。
        可選配的激光器波長有: 405nm,442nm,532nm、785nm、808nm等,外置選配激光器波長為:325nm。
    自動Mapping功能
        PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)配置200×200mm的二維電控位移臺,*大可測量8英寸的樣品。用戶可以根據(jù)不同的樣品規(guī)格來設(shè)置掃描區(qū)域、掃描步長、掃描速度等,掃描速度可高達(dá)每秒180個點(diǎn),空間分辨率可達(dá)50um。掃描結(jié)果以3D方式顯示,以不同的顏色來表示不同的熒光強(qiáng)度。

     
     
     
    軟件功能豐富,操作簡便
    我們具有多年的測量系統(tǒng)操作軟件開發(fā)經(jīng)驗(yàn),,熟悉試驗(yàn)測量需求和用戶的操作習(xí)慣,從而使開發(fā)的這套PMEye-3000操作軟件功能強(qiáng)大且操作簡便。
    MEye-3000操作軟件提供單點(diǎn)PL光譜測量及顯示,單波長的X-Y Mapping測量,給定光譜范圍的X-Y Mapping測量及根據(jù)測量數(shù)據(jù)進(jìn)行峰值波長、峰值強(qiáng)度、半高寬、給定波長范圍的熒光強(qiáng)度計(jì)算并以Mapping顯示,Mapping結(jié)果以3D方式顯示。同時具有多種數(shù)據(jù)處理方式來對所測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。
     

    低溫樣品室附件
        該附件可實(shí)現(xiàn)樣品在低溫狀態(tài)下的熒光檢測。
        有些樣品在不同的溫度條件下,將呈現(xiàn)不同的熒光效果,這時就需要對樣品進(jìn)行低溫制冷。
        如圖所示,從圖中我們可以發(fā)現(xiàn)在室溫時,GaN薄膜的發(fā)光波長幾乎涵蓋整個可見光范圍,且強(qiáng)度的*高峰出現(xiàn)在580nm附近,但整體而言其強(qiáng)度并不強(qiáng);隨著溫度的降低,發(fā)光強(qiáng)度開始慢慢的增加,直到110K時,我們可以發(fā)現(xiàn)在350nm附近似乎有一個小峰開始出現(xiàn),且當(dāng)溫度越降越低,這個小峰強(qiáng)度的增加也越顯著,一直到*低溫25K時,基本上就只有一個熒光峰。
    GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時為3.40Ev,換算成波長為365nm,而我們利用PL系統(tǒng)所測的GaN薄膜在25K時在356.6nm附近有一個峰值,因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進(jìn)去,則可以發(fā)現(xiàn)在理論上25K時GaN的禁帶寬度為3.48eV,即特征波長為357.1nm,非常靠近實(shí)驗(yàn)所得的356.6nm,因此我們可以推斷這個發(fā)光現(xiàn)象應(yīng)該就是GaN薄膜的自發(fā)輻射。



     
     
      不同制冷溫度下GaN材料的PL譜圖
     

    主要功能和技術(shù)參數(shù)

    掃描模式
    單點(diǎn)光譜掃描;單波長Mapping
    攝譜模式 峰值波長Mapping;峰值強(qiáng)度Mapping;半高寬Mapping;給定波長范圍的熒光強(qiáng)度Mapping
    膜厚測量 單點(diǎn)膜厚測量
    光源 405nm激光(標(biāo)配);150W溴鎢燈
    光譜儀 三光柵DSP掃描光譜儀
    光譜儀焦距 300mm(標(biāo)配) 500mm
    光譜分辨率 0.1nm(1200g/mm光柵) 0.05nm(1200g/mm光柵)
    倒線色散(nm/mm) 2.7(1200g/mm光柵)
    5.4(600g/mm光柵)
    10.8(300g/mm光柵)
    1.7(1200g/mm光柵)
    3.4(600g/mm光柵)
    6.8(300g/mm光柵)
    探測器 Si探測器,光譜響應(yīng)范圍:200~1100nm (標(biāo)配)
    數(shù)據(jù)采集設(shè)備 帶前置放大器的數(shù)字采集器DCS300PA(標(biāo)配)鎖相放大器SR830(選配)
    二維位移平臺 行程200*200mm,重復(fù)定位精度<3μm
    樣品臺 具有真空吸附功能對主流的2’’,3’’,4’’,5’’,6’’,8’’的晶片可進(jìn)行精確定位
    Mapping掃描速度 高達(dá)180點(diǎn)/秒
    Mapping位移步長 *小可到1um
    空間分辨率 50um
    重復(fù)定位精度 <3um
     

    可選擇探測器


    探測器類型
    光譜響應(yīng)范圍
    R1527光電倍增管 200~680nm
    CR131光電倍增管 200~900nm
    DSi300硅光電探測器 200~1100nm
    DInGaAs1700常溫型銦鎵砷探測器 800~1700nm
    DInGaAs1900制冷型銦鎵砷探測器 800~1900nm
    DinGaAs2200制冷型銦鎵砷探測器 800~2200nm
    DinGaAs2600制冷型銦鎵砷探測器 800~2600nm
      可選擇的內(nèi)置激光器:


    波長
    穩(wěn)定性 功率
    355nm <10% 1~20mW
    405nm <1% 1~300mW
    442nm <1% 1~50mW
    532nm <1% 1~450mW
    561nm <1% 1~200mW
    635nm <1% 1~500mW
    785nm <1% 1~300mW
    808nm <1% 1~500mW

    可選擇的外置激光器:
    325nm HeCd激光器,功率有:10、15、20、、25、30、40、45、50、55、80、100mW等。
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